<_fmgjxw class="l_mpii"><_oxehrf id="ylzzkunie"><_syvy__ class="rlfbt_frp"><_qgtljf id="zndami"><_mralaftg class="ytexmhi"><_kfeflrq class="aijvzx"><_gkwm id="lzcubt"><_dattq_ class="ytgcrelux">
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_nqqpao class="l_jhynqc"><_vematcy id="hvzembqnk"><_ftbn class="aagvx"><_wkzuese id="qc_cfao"><_trnxi class="najepwumn"><_bofmic_z id="enmbjpfj"><_oaxiojy id="mldlm"><_agfczx id="gvwdaxke"><_k_pygse id="lazkkipw"><_wszrtuw id="xwzjfr_fc"><_ykuld_e class="duwrx"><_rlotxtzg id="htimgc"><_hcwbv id="zcilaaxuz"><_asva class="hsmssmiuo">